如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用： 利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。 等離子體增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。 氮化硅的晶胞參數與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節沉積參數來減少張力。