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氮化硅的基本性質就是在于它的結構了,其中氮化硅的硅原子其實是位于四面體的中心,在它的周期也是具有四個氮原子的,并且分別在四面體的幾個頂點,然后以每三個四面體共用一個原子的形式,在三維空間形成連續而又堅固的網絡結構。氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119,有α和β兩種晶體結構,均為六角晶形,其分解溫度在空氣中為1800℃,在011MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱
氮化硅的基本性質就是在于它的結構了,其中氮化硅的硅原子其實是位于四面體的中心,在它的周期也是具有四個氮原子的,并且分別在四面體的幾個頂點,然后以每三個四面體共用一個原子的形式,在三維空間形成連續而又堅固的網絡結構。氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119,有α和β兩種晶體結構,均為六角晶形,其分解溫度在空氣中為1800℃,在011MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱率高,故其耐熱沖擊性較佳。
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