氮化硅制備的方法有很多，每個方法都需要注意不同的事情，特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節沉積參數來減少張力。先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350°C分解產生的。要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：氮化硅的晶胞參數與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。